MOSFET 切换：真实的波形.

第二部分 － 导通，软开关

作者：Constantin Darius Livescu

本文试图弄清MOSFET在开关过程中的 行为，这在多数文章中都没有描述清楚。

我们不再解释MOSFET内部结构的物理特性。 如对此感兴趣，我们推荐阅读参考文献中SGS-Thomson的技术文章。 本文的目的是帮助电源设计工程师了解一些知识以有助于MOSFET驱 动电路设计、计算关键事件的估计损耗、估算关键器件和不同压力 的结温以及最后的设计优化。

分析了仅含有一个MOSFET管、带 感性负载和二极管嵌位电路的开关电源的MOSFET的开 关事件。关于阻性负载的数据表的信息或技术文章与开关电源的MOSFET 的开关的关联性很小或没有。文章也只考虑了与开关模式电源密切相关的 500V/600VMOSFET。

电容的参考名与SGS-Thomson的技术文 章中的一致。如有必要请查看文献以获取他们的详细意义。

下面是波形图，不加特别说明的 是指MOSFEt导通（感性负载、二极管嵌位，软开关）：

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参考文献：

　

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